图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 连续漏极电流 | 50 A |
| 系列 | FDP2710 |
| 单位重量 | 0.063493 oz |
| RDS（ON） | 38 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 功率耗散 | 403 W |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 47 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 403W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5690pF @ 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 101nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 技术 | Si |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 身高 | 16.3 mm |
| 长度 | 10.67 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 38 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 403 W |
| Id - Continuous Drain Current | 50 A |
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